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HWAHAK KONGHAK,
Vol.37, No.4, 615-617, 1999
Vol.37, No.4, 615-617, 1999
TiO2 박막의 원자층성장에 관한 연구
A Study on Atomic Layer Growth of TiO2 Thin Films
원자층성장 반응기를 사용하여 TiO2 박막을 성장하였다. 사용된 원자층성장 반응기는 원료주입구를 가진 기판이 회전하는 형태의 반응기이다. 370℃와 430℃의 온도영역에서 원자층성장이 이루어지는 것으로 관찰되었으며 이 온도에서 성장된 TiO2 박막은 rutile 결정상을 보였다. 이러한 온도영역에서는 매 cycle당 0.5 monolayer의 성장, 즉 1.78Å/cycle의 성장속도를 나타내었다. Ti(OPri)4 원료를 위한 이송기체의 유속이 10-20sccm 영역에서 원자층성장을 보였다.
Using an atomic layer growth reactor, thin films of TiO2 were obtained. The reactor was composed of separate feed lines with the rotating substrate. In the temperature range of 370-430℃ the atomic layer growth of rutile TiO2 was observed with the growth rate of 1.78Å/cycle. The atomic layer growth was found to be possible at the carrier gas flow rate of 10-20 sccm.
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