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한국화학공학회 학술발표회 VOD
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The effects of point defects on the oxygen precipitation of Si wafer grown by Czochralski method

송도원1, 김 효2, 이상훈3(1(주)실트론 / 서울시립대,2서울시립대,3(주)실트론)

본 동영상은 화학공학소재연구정보센터(http://www.cheric.org)의 협조를 통해서 제공하고 있습니다.