| Issue |
HWAHAK KONGHAK,
Vol.33, No.5, 535-543, 1995
Vol.33, No.5, 535-543, 1995
전기화학적 식각에 의한 다공성 실리콘 층에서의 기공 구조
Pore Structure in Porous Silicon Layer Prepared by Electrochemical Etching
전기화학적 방법에 의하여 제조한 다공성 실리콘층의 기공 크기 분포에 영향을 미치는 공정 조건을 찾기 위한 연구를 수행하였다. 다공성 실리콘층을 p형 실리콘 웨이퍼에 형성시켰을 경우 직경이 100Å보다 작은 미세기공들이 네트워크를 이루었으며 전기화학적 방법에 의하여 n형 실리콘 위에 형성한 기공을 화학식각 후처리를 함으로써 기공 직경을 1000Å까지 증가시킬 수 있었다.
The purpose of this study is to investigate the effect of process condition on the pore size distribution in porous silicon layer prepared by electrochemical reaction. Porous silicon layers formed on p-type silicon wafer show the network structure of fine pores of which diameters are less than 100Å. Pore diameters increased up to about 1000Å by subsequent chemical etching using n-type silicon wafers.
[References]
- Uhlir A, Bell. Syst. Tech. J., 35, 333, 1956
- Turner DR, J. Electrochem. Soc., 105, 402, 1958
- Zhang XG, Collins SD, Smith RL, J. Electrochem. Soc., 135, 1561, 1989
- Zhang XG, J. Electrochem. Soc., 138, 3750, 1991
- Lehmann V, Gosele U, Appl. Phys. Lett., 58, 586, 1991
- Wolf S, "Silicon Processing for the VLSI Era," Vol. 2: Process Integration, Lattice Press, Sunset Beach, CA, 1990
- Watanabe H, Honma I, Ohnishi S, Kitajima H, "Symposium on VLSI Technology," p. 17, Japan Soc. Appl. Phys. and IEEE Electron Dev. Soc., May, 1993
- Smith RL, Collins SD, J. Appl. Phys., 71, R1, 1992
- Bomchil G, Herino R, Barla K, Pfister JC, J. Electrochem. Soc., 130, 1611, 1983
- Searson PC, Macaulay JM, Prokes SM, J. Electrochem. Soc., 139, 3373, 1992
- Chuang SF, Collins SD, Smith RL, Appl. Phys. Lett., 55, 675, 1989
- Sze SM, "VLSI Technology," 2nd ed., McGraw-Hill, New York, 1988
참고문헌정보(참고문헌, 인용문헌)는 화학공학소재연구정보센터에 의해 제공되고 있습니다.