| Search / Korean Journal of Chemical Engineering |
HWAHAK KONGHAK,
Vol.28, No.4, 451-457, 1990
Vol.28, No.4, 451-457, 1990
열풀라즈마를 이용한 탄화규소 분말의 합성
Thermal Plasma Synthesis of Silicon Carbide Powders
열플라즈마를 발생시켜 얻은 초고온 아르곤기체에 삼염화메틸사일린[Si(CH3)Cl3]과 수소기체를 주입시켜 고온 화학반응에 의해 탄화규소 미세분말을 합성하였다. 이 때 최적 수소 농도는 3-4몰%로 나타났다. 이보다 적은 경우는 미반응 탄소분이 섞인 무정형의 탄소규소가 생성되는 것을 알았으며 큰 경우는 미반응 규소가 생성됨을 알았다. 이 공정에서 얻은 분말은 20-60nm의 크기를 가진 β-탄화규소로 나타났다.
Ultrafine silicon carbide powders were chemically synthesized by introducing trichloromethyl silane and hydrogen into the high temperature thermal plasma argon gas. The optimum concentration of hydrogen was found to be about 3-4mole%. Free carbon was included when the hydrogen concentration was lower than optimum and free silicon was formed when it was higher than optimum. It was also found out that powders synthesized were β-SiC with size distributions between 20 to 60nm.
[References]
- 이시우, 박혁상, 요업재료의 과학과 기술, 3(4), 309, 1988
- Choi HK, Chem. Ind. Technol., 6(2), 176, 1988
- Kong P, Huang TT, Pfender E, IEEE Trans. Plasma Sci., 14(4), 357, 1986
- Hollabaugh CM, Hull DE, Newkirk LR, Petrovic JJ, J. Mater. Sci., 1(8), 3190, 1983
- Mitsui A, Kato A, Yogyo-Kyogai-Shi, 94(5), 517, 1986
- Ando Y, Ohkohchi M, J. Cryst. Growth, 60, 147, 1982
- Kato A, Ozeki T, Hojo J, J. Less-Common Metal., 92, L5, 1983
- Kondo J, Saiki G, Ceramic Powder Science II, Messing, G.L., Fuller, E.R., Jr. and Hausner, H., eds., Am. Ceram. Soc., 285, 1988
- Young RM, Pfender E, Plasma Chem. Plasma Process., 5(1), 1, 1985
참고문헌정보(참고문헌, 인용문헌)는 화학공학소재연구정보센터에 의해 제공되고 있습니다.